国际集成电路产业峰会大咖云集，赛微电子氮化镓项目引入战略投资人

       本次峰会以“‘芯’梦想、新动能”为主题，邀请国内外集成电路产业政、产、学、研、用各路精英400人齐聚青岛，研讨国内外集成电路产业发展的新生态、新热点，挖掘青岛市在集成电路产业的优势与机遇，打造青岛集成电路创新绿色发展先进产业集群，助力青岛加快推进新旧动能转换重大工程。

　　中国半导体行业协会理事长周子学先生，国家集成电路产业投资基金总经理丁文武先生，华登国际董事长陈立武先生等国内外集成电路行业领军人物先后致辞，美国国家工程院院士、加州伯克利大学副校长、校董Tsu-Jae King Liu教授，华登国际董事总经理黄庆博士等先后在峰会现场发表主旨演讲，从不同角度阐述集成电路及相关产业的未来发展趋势。

　　赛微电子董事长杨云春先生与国家集成电路产业投资基金总经理丁文武先生就中国集成电路产业现状及发展趋势、特色集成电路MEMS产业发展格局、第三代半导体材料发展现状等议题进行了交流;与美国国家工程院院士、加州伯克利大学副校长、校董Tsu-Jae King Liu教授共同探讨了国际集成电路产业动态、中美集成电路产业的竞争与合作等议题。

　　在此次峰会上，在丁文武先生等的见证下，即墨区人民政府、青岛城投集团与赛微电子、泰睿思、矽力杰等全球知名半导体企业签署合作协议，在位于即墨区的青岛微电子产业园建设12英寸先进模拟芯片集成电路产业基地、OLED面板设备制造、第三代半导体材料氮化镓等多个项目，通过高端项目的引进，逐步形成产业集聚，将青岛建设为国家级集成电路产业基地，使青岛市进入全球模拟产业第一阵营，打造青岛“芯”名片。

　　第三代半导体材料主要包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石等，因其禁带宽度(Eg)大于或等于2.3电子伏特(eV)，又被成为宽禁带半导体材料，与第一、二代相比，第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子速率等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。此次赛微电子与青岛即墨、青岛城投就控股子公司聚能晶源相关项目的投资、落地情况达成紧密合作，有利于公司加快第三代半导体材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产进度，有利于公司把握产业发展机遇，尽快拓展相关材料在国防装备、航空电子、5G 通信、物联网等领域的推广应用，有利于公司以传感为核心所进行的“材料-芯片-器件-系统-应用”的全面布局，把握第三代半导体材料产业发展机遇，提高公司的综合竞争实力。